Дистанционное Обучение по специальности: Оператор по выращиванию кристаллов в Магадане
Более 5 тысяч обученных и довольных клиентов!
Занесение удостоверения во внутренний реестр учебного центра
Посмотреть лицензиюСпециальные условия для юридических лиц
Дистанционное образование по направлению - Оптико-механическое производство
Курсы по
специальности Оператор по выращиванию кристаллов в Магадане
Характеристика работ. Выращивание простых оптическихкристаллов открытым способом. Подготовка сырья, взвешивание шихты и засыпка втигель. Приготовление затравки и установка ее в кристаллодержатель. Установкатигля в печь. Получение расплава из шихты. Наблюдение за режимом работынагревательных печей и за системой входящего охлаждения по показаниям приборов.Остановка работы печей, разгрузка. Слив загрязненного расплава и отмывка тиглейрастворами кислот.
Должен знать: физическую сущность процесса выращиваниякристаллов открытым способом; правила приготовления шихты и затравки;устройство и принцип работы электропечей для выращивания кристаллов в атмосфереи печей грубого отжига кристаллов; устройство и принцип работы станка СВК-1;виды кристаллов и кристаллических веществ; способы хранения реактивов и готовыхкристаллов.
Пример работы
Кристаллы фтористого лития диаметром до 180 мм -выращивание методом Киропулоса.
§ 39. Оператор по выращиванию кристаллов 3-го разряда
Характеристика работ. Выращивание оптических кристалловсредней сложности открытым способом, в вакууме и вакуум-компрессионных печах.Выбор и установление теплового режима в электропечах выращивания кристаллов.Наладка вакуумных установок. Измерение давления, вакуума, температуры печи ирегулировка по заданному режиму. Расчет весовых количеств компонентов дляприготовления расплавов и определение времени роста кристалла-зародыша. Ведениезаписей в технологическом журнале.
Должен знать: устройство вакуумных печей; методы расчетатемпературного режима электропечей и дозировку весовых количеств компонентовдля приготовления расплавов и затравки; систему водяного охлаждения затравки;принцип работы контрольно-измерительных приборов и инструментов; основыкристаллографии; физические свойства кристаллов и область их применения;способы проверки качества кристаллов; технические условия на кристаллы.
Примеры работ
1. Кристаллы фтористого лития диаметром свыше 180 до 250 мм- выращивание методом Киропулоса.
2. Кристаллы фтористого кальция и фтористого бариядиаметром до 200 мм - выращивание в вакууме методом Стокбаргера и методомШтобера.
3. Кристаллы рубина и лейкосапфира в виде стержней длинойдо 150 мм - выращивание методом Вернейля.
4. Кристаллы селенида цинка диаметром до 70 мм -выращивание под давлением инертного газа методом Бриджмена.
§ 40. Оператор по выращиванию кристаллов 4-го разряда
Характеристика работ. Выращивание сложных, крупных идорогостоящих кристаллов открытым способом, в вакууме, в вакуум-компрессионныхпечах. Выращивание кристаллов флюорита из расплавов в вакуумной электропечи споследующим грубым и тонким отжигом. Подготовка и составление шихты. Зарядка инастройка вакуумных насосов, расчет мощности насоса для роста кристаллов.Наладка муфельных печей для грубого и тонкого отжига кристаллов.
Должен знать: устройство и наладку вакуумных электропечей ипечей для выращивания сложных крупных кристаллов и кристаллов флюорита;устройство муфельных печей для тонкого и грубого отжига кристаллов; устройствоприборов для измерения вакуума, давления, температуры, мощности электрическоготока.
Примеры работ
1. Кристаллы фтористого кальция и фтористого бариядиаметром свыше 200 до 450 мм - выращивание в вакууме методом Стокбаргера иметодом Штобера.
2. Кристаллы фтористого лития диаметром свыше 250 до 450 мм- выращивание на воздухе методом Киропулоса.
3. Кристаллы рубина и лейкосапфира в виде стержней длинойсвыше 150 до 200 мм - выращивание методом Вернейля.
4. Кристаллы селенида цинка диаметром свыше 70 до 100 мм -выращивание под давлением инертного газа методом Бриджмена.
5. Кристаллы лейкосапфира массой до 8 кг - выращивание ввакууме методом ГОИ.
§ 41. Оператор по выращиванию кристаллов 5-го разряда
Характеристика работ. Выращивание оптических особо сложныхкристаллов, ведение экспериментальных работ по выращиванию новых видовкристаллов, крупных кристаллов со специально заданными свойствами (путемдобавки различных фторидов), кристаллов с повышенной прочностью (упрочненногофтористого лития), а также опытных образцов из различных материалов различнымиметодами. Выбор технологических режимов в соответствии с требованиями коптическим характеристикам кристаллов. Корректировка режимов по результатамвыращивания. Выявление и устранение неисправностей оборудования. Проверкагерметичности кристаллизационных камер, газовых коммуникаций, вакуумных систем.
Должен знать: устройство сложных вакуумных установок иэлектропечей; приемы устранения течи (падения вакуума); схемы производственныхи экспериментальных установок; принципы автоматического регулирования работыпечных устройств; режимы и приемы тонкого отжига крупных кристаллов, методыконтроля их качества; приемы раскола моно- и поликристаллов; оптические ифизико-химические свойства кристаллов, область их применения.
Примеры работ
1. Кристаллы рубина и лейкосапфира в виде стержней длинойсвыше 200 мм - выращивание в водородно-кислородном пламени методом Вернейля.
2. Кристаллы селенида цинка диаметром свыше 100 мм -выращивание под давлением инертного газа методом Бриджмена.
3. Кристаллы лейкосапфира массой свыше 8 кг - выращивание ввакууме методом ГОИ.
4. Кристаллы крупные уникальные фтористого кальция ифтористого бария диаметром свыше 450 мм - выращивание в вакууме методомСтокбаргера и методом Штобера.
5. Кристаллы фтористого лития диаметром свыше 450 мм -выращивание на воздухе методом Киропулоса.
Комментарии к профессии
Приведенные тарифно-квалификационные характеристики профессии «Оператор по выращиванию кристаллов» служат для тарификации работ и присвоения тарифных разрядов согласно статьи 143 Трудового кодекса Российской Федерации. На основе приведенных выше характеристик работы и предъявляемых требований к профессиональным знаниям и навыкам составляется должностная инструкция оператора по выращиванию кристаллов, а также документы, требуемые для проведения собеседования и тестирования при приеме на работу. При составлении рабочих (должностных) инструкций обратите внимание на общие положения и рекомендации к данному выпуску ЕТКС (см. раздел «Введение»).
Обращаем ваше внимание на то, что одинаковые и схожие наименования рабочих профессий могут встречаться в разных выпусках ЕТКС. Найти схожие названия можно через справочник рабочих профессий (по алфавиту).
Как не оформить нелегальное удостоверение
Учебный центр должен иметь лицензию!
Перед началом работы с учебным центром обязательно проверяйте наличие лицензии на сайте РосОбрНадзора и возможность проведения обучения по направлению "Обучение по специальности: Оператор по выращиванию кристаллов" в Магадане данным центром.
вы будете рекомендовать нас партнёрам
и рекомендации партнерам.
Мы хотим, чтобы Вы забыли, что существуют другие учебные центры.
Вы же понимаете, что нам не выгодно работать с Вами один раз?
Для нашего коллектива важно делать свое дело в соответствии с нашими ценностями, а именно – оказывать услуги добросовестно и с полной самоотдачей, чтобы каждый клиент сказал «эти ребята меня приятно удивили, я и не знал, что в сфере обучения есть такой сервис».
Поэтому у нас можно оформить более 4000 рабочих специальностей все возможные программы повышения квалификации, профессиональной переподготовки, аттестации! Обучение по специальности: Оператор по выращиванию кристаллов является одним из наших основных направлений в Магадане.
Рассчитайте стоимость дистанционного обучения
НАШИ КЛИЕНТЫ
ДАЛЕЕ МОЖНО СДЕЛАТЬ СЛЕДУЮЩЕЕ
(гарантированный ответ в течение часа)
ИЛИ ПОСЕТИТЬ НАШ ОФИС
Магадан,
пн-пт с 9:00 до 18:00
Если Вы недовольны качеством обслуживания или у Вас есть предложения по улучшению сервиса, просьба написать нам на эту почту
Вся представленная на сайте информация носит информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 Гражданского кодекса Российской Федерации.